Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTL2N470
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTL2N470-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 4700 V 2A (Tc) 220W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Αποθέμα:
61 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821125
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTL2N470 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
4700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6860 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
220W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUSi5-Pak™
Συσκευασία / Θήκη
ISOPLUSi5-PAK™
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTL2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Άλλα ονόματα
-IXTL2N470
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFX250N10P
MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247-3
IXFQ60N60X
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
IXFA20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO263
