Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTK200N10P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTK200N10P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 800W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Αποθέμα:
300 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12915642
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTK200N10P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-264 (IXTK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTK200
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PHB32N06LT,118
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
IXFH120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
BUK7Y59-60EX
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56
