Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTH48N65X2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTH48N65X2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
272 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12820085
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
I2q8
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTH48N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
48A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
68mOhm @ 24A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4420 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
660W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTH48
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
632407
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFX120N25
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
