Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTH2N150L
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTH2N150L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1500 V 2A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
176 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12820293
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTH2N150L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Linear
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
15Ohm @ 1A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
8.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1470 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTH2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTR20P50P
MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
IXTP130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
IXTR32P60P
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
