Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTH20N65X2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTH20N65X2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
241 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13270669
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
EtNc
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTH20N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
185mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1450 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTH20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
238-IXTH20N65X2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA16N50P-TRL
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
IXTY1R6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
IXTQ60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO3P