Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTF1R4N450
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTF1R4N450-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 4500 V 1.4A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Αποθέμα:
12821310
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTF1R4N450 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
4500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
190W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUS i4-PAC™
Συσκευασία / Θήκη
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTF1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Άλλα ονόματα
-IXTF1R4N450
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTV96N25T
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
IXTP76N075T
MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
IXTT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO268
