Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTB62N50L
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTB62N50L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Αποθέμα:
12822259
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTB62N50L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Linear
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
62A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 31A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
550 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS264™
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTB62
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
IXTH72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO247
IXFN32N120
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
