Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXTB30N100L
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXTB30N100L-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Αποθέμα:
12819336
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXTB30N100L Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
Linear
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
545 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS264™
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXTB30
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFH10N100
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
IXFK88N20Q
MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263