IXTA08N50D2

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXTA08N50D2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXTA08N50D2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Αποθέμα:

260 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12820969

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXTA08N50D2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Littelfuse

Συσκευασία

Tube

Σειρά

Depletion

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

500 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

800mA (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

4.6Ohm @ 400mA, 0V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

-

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

12.7 nC @ 5 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

312 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

Depletion Mode

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

60W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263AA

Συσκευασία / Θήκη

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Βασικός αριθμός προϊόντος

IXTA08

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

IXT(Y,A,P)08N50D2

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

littelfuse

IXKN75N60C

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B

littelfuse

IXTA220N04T2

MOSFET N-CH 40V 220A TO-263

littelfuse

IXFH160N15T2

MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD

littelfuse

IXFT15N100Q

MOSFET N-CH 1000V 15A TO268