Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXT-1-1N100S1-TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXT-1-1N100S1-TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
Αποθέμα:
12820994
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXT-1-1N100S1-TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
-
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
-
Συσκευασία / Θήκη
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXT-1
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTQ120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
IXFP90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220
IXTP34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
