Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFX88N20Q
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFX88N20Q-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Αποθέμα:
12819089
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFX88N20Q Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™, Q Class
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
88A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 44A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS247™-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFX88
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4227PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1028
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4227PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW75NF20
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW75NF20-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFM10N90
MOSFET N-CH 900V 10A TO204AA
IXTY01N80
MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
IXFP60N25X3
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB