Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFX55N50F
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFX55N50F-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Αποθέμα:
12864578
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFX55N50F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerRF™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
55A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6700 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
560W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS247™-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFX55
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
IXFX55N50F-NDR
Q1649656
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
IRF9Z30
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
FJ4B01120L1
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
