Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFX55N50
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFX55N50-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 55A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Αποθέμα:
12908491
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFX55N50 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
55A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS247™-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFX55
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
IXFX55N50-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX94N50P2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX94N50P2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
13.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N50P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFX64N50P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
11.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRLL1905TR
MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223
IXTQ30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
IRF9Z24S
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
