IXFT70N20Q3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFT70N20Q3

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFT70N20Q3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 200V 70A TO268
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 70A (Tc) 690W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Αποθέμα:

30 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12908163
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFT70N20Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 35A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3150 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
690W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-268AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFT70

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFT70N20Q3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFL9110PBF

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

vishay-siliconix

IRFIZ48GPBF

MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3

vishay-siliconix

IRF820L

MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK

vishay-siliconix

2N7002E

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3