IXFR64N60Q3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFR64N60Q3

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFR64N60Q3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 42A (Tc) 568W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Αποθέμα:

30 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12914472
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFR64N60Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
42A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
104mOhm @ 32A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9930 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
568W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUS247™
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFR64

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFR64N60Q3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI7738DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

littelfuse

IXTH270N04T4

MOSFET N-CH 40V 270A TO247

vishay-siliconix

SI4490DY-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

vishay-siliconix

SI7135DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8