IXFR32N100Q3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFR32N100Q3

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFR32N100Q3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Αποθέμα:

30 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12908048
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFR32N100Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9940 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
570W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUS247™
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFR32

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFR32N100Q3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFBF30STRLPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

littelfuse

IXFT20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO268

vishay-siliconix

IRC530PBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5

vishay-siliconix

IRF820LPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK