Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFR32N100Q3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFR32N100Q3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Αποθέμα:
30 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12908048
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFR32N100Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9940 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
570W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISOPLUS247™
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFR32
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFR32N100Q3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFBF30STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
