Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFQ60N25X3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFQ60N25X3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
3 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819742
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFQ60N25X3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X3
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3610 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
320W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFQ60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
IXFQ60N25X3-DG
238-IXFQ60N25X3
-1402-IXFQ60N25X3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFA7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
IXKP20N60C5M
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220ABFP
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
