Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFQ50N60P3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFQ50N60P3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
12821337
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFQ50N60P3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar3™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1040W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFQ50
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCA22N60N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
545
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCA22N60N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.38
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPW60R099CPAFKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
196
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPW60R099CPAFKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
