Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFQ22N60P3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFQ22N60P3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
270 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821889
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFQ22N60P3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar3™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFQ22
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFQ22N60P3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFY26N30X3
MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA
IXFH30N60Q
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
IXFN44N80Q3
MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
