Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFP8N85XM
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFP8N85XM-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 850V 8A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 850 V 8A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Αποθέμα:
12820241
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFP8N85XM Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
850 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
654 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220 Isolated Tab
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFP8N85
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF13N95K3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
988
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF13N95K3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFR66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
IXTA7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
IXTV98N20T
MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
