Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFP8N85X
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFP8N85X-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 850 V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Αποθέμα:
280 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821277
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFP8N85X Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
850 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
654 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB (IXFP)
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFP8N85
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
-1402-IXFP8N85X
238-IXFP8N85X
IXFP8N85X-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFR80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
IXFP7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
