Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFP3N50PM
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFP3N50PM-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 2.7A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 2.7A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
12818839
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFP3N50PM Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™, PolarHT™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
409 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
36W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFP3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFI3205PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7095
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFI3205PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STU4N52K3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2513
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STU4N52K3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFH10N100Q
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
IXTA110N055T
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
IXTP32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
