Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFN80N50Q3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFN80N50Q3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 63A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Αποθέμα:
10 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12820005
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFN80N50Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
63A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
780W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Άλλα ονόματα
-IXFN80N50Q3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
MMIX1F160N30T
MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
IXTP1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
