Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFN420N10T
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFN420N10T-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 420A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Αποθέμα:
12822039
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFN420N10T Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Trench
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
420A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
670 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
47000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1070W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN420
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Άλλα ονόματα
623426
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTX200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
IXFP36N30P3
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXTA15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO263
