Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFN32N120P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFN32N120P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Αποθέμα:
12819076
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
FcWQ
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFN32N120P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
21000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1000W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN32
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Άλλα ονόματα
-IXFN32N120P
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN140N30P
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
IXFR30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
IXTY24N15T
MOSFET N-CH 150V 24A TO252
