IXFN27N80Q
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFN27N80Q

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFN27N80Q-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Αποθέμα:

12914317
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFN27N80Q Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™, Q Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
320mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
520W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN27

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFN44N80Q3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFN44N80Q3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
47.44
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

FMD21-05QC

MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC

vishay-siliconix

SI1406DH-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6

vishay-siliconix

SI7431DP-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7720DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8