Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFN25N90
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFN25N90-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 25A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Αποθέμα:
12822312
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFN25N90 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
600W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN25
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT32F120J
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT32F120J-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
52.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFN40N90P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFN40N90P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
29.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF3707
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
IRFR1010ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFZ24NSTRL
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
