IXFN100N50Q3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFN100N50Q3

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFN100N50Q3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 82A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Αποθέμα:

9 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12821189
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
UqRf
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFN100N50Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
82A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
49mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
960W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Συσκευασία / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFN100

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
IXFN100N50Q3
Φύλλα δεδομένων
IXFN100N50Q3
HTML Δελτίο δεδομένων
IXFN100N50Q3-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10
Άλλα ονόματα
-IXFN100N50Q3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFT32N100XHV

MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV

littelfuse

IXTH260N055T2

MOSFET N-CH 55V 260A TO247

littelfuse

IXFH50N85X

MOSFET N-CH 850V 50A TO247

littelfuse

IXTV130N15T

MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220