Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFM35N30
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFM35N30-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 300 V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Αποθέμα:
12819948
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFM35N30 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
300 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-204AE
Συσκευασία / Θήκη
TO-204AE
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFM35
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
20
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA38N30
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17406
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDA38N30-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.33
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTA130N15X4-7
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
IXTA270N04T4-7
MOSFET N-CH 40V 270A TO263-7
IXTH460P2
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
