Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFK32N80P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFK32N80P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Αποθέμα:
12821596
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFK32N80P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-264AA (IXFK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFK32
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT38F80B2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
37
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT38F80B2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
13.93
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTK20N150
MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
IXTT100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO268
IXFT18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
