Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFK26N120P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFK26N120P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Αποθέμα:
50 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12822407
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFK26N120P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
26A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
460mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
16000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
960W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-264AA (IXFK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFK26
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
VM0550-2F
MOSFET N-CH 100V 590A MODULE
IRF7455
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
BUK9E1R9-40E,127
MOSFET N-CH 40V I2PAK
