IXFK24N100Q3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFK24N100Q3

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFK24N100Q3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Αποθέμα:

1745 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12823373
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFK24N100Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
440mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1000W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-264AA (IXFK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFK24

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
25

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nxp-semiconductors

BUK9535-55,127

MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB

infineon-technologies

IRF8734PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

infineon-technologies

IRF3707ZSTRR

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

infineon-technologies

IRF6641TR1PBF

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET