Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFK15N100Q
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFK15N100Q-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Αποθέμα:
12819051
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFK15N100Q Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-264AA (IXFK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFK15
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTK17N120L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
296
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTK17N120L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
33.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFT12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A TO268
IXTP340N04T4
MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB
IXTY08N120P
MOSFET N-CH 1200V 8A TO220AB
