Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFK100N65X2
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFK100N65X2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264
Αποθέμα:
22 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12820943
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFK100N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1040W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-264
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFK100
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Άλλα ονόματα
IXFK100N65X2XINACTIVE
IXFK100N65X2X
IXFK100N65X2X-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
IXFN48N50U3
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
IXFC16N80P
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
