Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFJ80N25X3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFJ80N25X3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 44A (Tc) 104W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3
Αποθέμα:
1 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819602
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFJ80N25X3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X3
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
44A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5430 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ISO TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFJ80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFJ80N25X3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4768PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2632
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP4768PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTP32N20T
MOSFET N-CH 200V 32A TO220AB
IXFX52N100X
MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247
IXTH26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
