Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH80N25X3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH80N25X3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
21 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12820730
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH80N25X3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X3
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5430 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
390W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFH80N25X3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF250P224
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
323
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF250P224-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFK78N50P3
MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
IXTQ64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
