Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH70N20Q3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH70N20Q3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 70A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 70A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Αποθέμα:
12821073
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH70N20Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 35A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3150 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
690W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH70
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260MPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8078
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260MPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12055
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.72
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFN50N50
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
IXT-1-1N100S1
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXKP13N60C5M
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220ABFP
