Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH50N20
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH50N20-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Αποθέμα:
12823392
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH50N20 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
-
Σειρά
HiPerFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH50
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
IXFH50N20-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260MPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8078
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260MPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12055
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFP260NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.72
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Upgrade
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF540ZS
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IRF4905PBF
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
IPP10N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
