IXFH24N90P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFH24N90P

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFH24N90P-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 24A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Αποθέμα:

178 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12911633
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFH24N90P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
660W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH24

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
IXFH24N90P
Φύλλα δεδομένων
IXF(H,T)24N90P
HTML Δελτίο δεδομένων
IXFH24N90P-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRLZ24STRL

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

littelfuse

IXKP13N60C5

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIBF20GPBF

MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3

littelfuse

IXTT30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A TO268