Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH20N85X
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH20N85X-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 850 V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Αποθέμα:
271 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819301
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH20N85X Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
850 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
540W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
