Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH20N100P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH20N100P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Αποθέμα:
12819240
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH20N100P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
570mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
660W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT17F100B
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT17F100B-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
9.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFH30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
IXFX26N90
MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
IXTU02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
