Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFH18N100Q3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFH18N100Q3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Αποθέμα:
12821289
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
H9sx
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFH18N100Q3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Q3 Class
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1000 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
660mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4890 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AD (IXFH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH18
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW12N120K5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW12N120K5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW10N95K5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
466
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW10N95K5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
IXFX44N55Q
MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3
