IXFH120N25X3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFH120N25X3

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFH120N25X3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Αποθέμα:

238 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819435
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFH120N25X3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X3
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7870 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
520W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 (IXTH)
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFH120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFT26N50

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

littelfuse

IXTP42N25P

MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB

littelfuse

IXTC110N25T

MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

littelfuse

IXTQ96N25T

MOSFET N-CH 250V 96A TO3P