Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFB210N20P
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFB210N20P-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 210A (Tc) 1500W (Tc) Through Hole PLUS264™
Αποθέμα:
25 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819873
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFB210N20P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
210A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
18600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS264™
Συσκευασία / Θήκη
TO-264-3, TO-264AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFB210
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXFB100N50P
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXTX60N50L2
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
IXKH35N60C5
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
