IXFA8N65X2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFA8N65X2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFA8N65X2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

13270732
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFA8N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
790 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFA8N65

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
238-IXFA8N65X2

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM018NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN

littelfuse

IXFP18N65X2M

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

taiwan-semiconductor

TSM080NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM052NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN