Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SPD09P06PLGBTMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SPD09P06PLGBTMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Αποθέμα:
6724 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12862821
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
qjNQ
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SPD09P06PLGBTMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SIPMOS®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
SPD09P06
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SPD09P06PLG
SPD09P06PL GCT-DG
SPD09P06PL G-DG
SPD09P06PL GDKR-DG
SPD09P06PL GCT
SPD09P06PL G
SPD09P06PL GTR-DG
SPD09P06PL GDKR
SP000443928
SPD09P06PLGBTMA1CT
SPD09P06PLGBTMA1TR
SPD09P06PLGBTMA1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 2.4A UPAK
RJK5026DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
