SPD06N80C3ATMA1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SPD06N80C3ATMA1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SPD06N80C3ATMA1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Αποθέμα:

12808193
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
IZA3
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SPD06N80C3ATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.9V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
SPD06N80

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SPD06N80C3ATMA1CT
INFINFSPD06N80C3ATMA1
SPD06N80C3ATMA1DKR
2156-SPD06N80C3ATMA1
SPD06N80C3ATMA1TR
SP001117772

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCD850N80Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15910
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCD850N80Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.96
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD7ANM60N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3584
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD7ANM60N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.58
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCD4N60TM
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10613
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCD4N60TM-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.61
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

SN7002N L6327

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

infineon-technologies

SPP80N08S2-07

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

infineon-technologies

SPW35N60C3FKSA1

MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3

infineon-technologies

SPP15P10PHXKSA1

MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3