Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRLML6401TRPBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRLML6401TRPBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Αποθέμα:
40009 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12807082
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRLML6401TRPBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
950mV @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
830 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Micro3™/SOT-23
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRLML6401
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBF
IRLML6401PBFCT
SP001577044
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFCT-DG
IRLML6401GTRPBFDKR-DG
IRLML6401GTRPBFTR-DG
IRLML6401PBFDKR
SP001568584
IRLML6401PBFTR
*IRLML6401TRPBF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
IRF9520NSTRL
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
