IRFS3207TRLPBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFS3207TRLPBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFS3207TRLPBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 75 V 170A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK

Αποθέμα:

3925 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12804467
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFS3207TRLPBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
75 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
170A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7600 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFS3207

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
IRFS3207TRLPBFTR
IRFS3207TRLPBFDKR
IRFS3207TRLPBFCT
SP001578312

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPW90R800C3FKSA1

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3

infineon-technologies

IPP60R385CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3

infineon-technologies

IPD088N04LGBTMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

infineon-technologies

IRF7460

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO