Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF6636
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF6636-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Αποθέμα:
12803798
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF6636 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.45V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2420 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DIRECTFET™ ST
Συσκευασία / Θήκη
DirectFET™ Isometric ST
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,800
Άλλα ονόματα
IRF6636TR
IRF6636CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPD60R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
